3 天之前  1、化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 2、基于国产单晶衬底的150mm4HSiC同质外延技术进展 3、第三代半导体SiC芯片关键装备现状及发展趋势 end 想要及

2022年12月1日  碳化硅作为第三代半导体材料，在电力电子系统中具有重要的地位。碳化硅功率器件以其卓越的特性，如耐高压、耐高温和低损耗等，能够满足电力电子系统对高

20 世纪90 年代以来，碳化硅 (silicon carbide，SiC)MOSFET 技术的迅速发展，引起人们对这种新一代功率器件的广泛关注 [24]。 与Si 材料相比，碳化硅材料较高的热导率决定

2020年3月16日  摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)器件作为一种宽禁带半导 体器件，具有耐高压、高温，导通电阻低等优点。近20 年 来，SiC 器件是国内外学术界和企业界的一

碳化硅产品是硅（Si）和碳（C）1比1结合而成的一种化合物，具有较高的抗磨损性、耐热性和耐腐蚀性。 它们被广泛地应用于半导体材料的制造过程中需要的晶圆舟、管和代替硅片的仿真晶圆，也广泛运用于高温时使用的

碳化硅外延设备技术研究 碳化硅外延技术是采用化学气相沉积设备在N型4HSiC衬底上进行同质外延生长,而外延生长设备所具有的温度场和气流场的状态决定了外延生长的成膜质

2024年5月29日  碳化硅膜以其优异的耐酸碱、耐化学试剂腐蚀、耐高温以及亲水疏油性，被誉为21世纪科学的陶瓷膜产品。本文健安环保将详细介绍碳化硅膜工程设备的特性、应

碳化硅冷凝器11设备工艺原理 碳化硅冷凝器碳化硅冷凝器概述碳化硅冷凝器是一种新型的高温热处理设备，主要用于金属热处理、高温炉拱顶和包覆板等行业。碳化硅冷凝器具有独特的优势，如高温耐性、耐腐蚀性好、抗氧化性强等特点。采用碳化硅

2023年5月4日  碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物

3 天之前  三种碳化硅外延生长炉的差异 热壁水平卧式CVD、温壁行星式CVD以及准热壁立式CVD是现阶段已实现商业应用的主流外延设备技术方案，三种技术设备也有各自的特点，可以根据需求进行选择，其结构示意如下图所示： 热壁水平式CVD系统，一般为气浮驱动旋转

2021年1月19日  成果介绍 依据团队具备的经验和技术，团队的碳化硅外延炉主要采取主流的横向热壁技术方案，重要的技术指标将对标被国内广泛认可的意大利 LPE 碳化硅外延设备。 其指标包括将外延材料的厚度不均匀性降至 1% ；缺陷密度降至 05/cm 2 ；原料利用率上提升 30%

碳化硅机械密封设备工艺原理碳化硅机械密封设备工艺原理ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ前言机械密封是一种防止介质泄漏的装置，广泛应用于各种工业设备中。机械密封由两部分组成：静态密封和动态密封。其中，动态密封通常由机械密封和密封圈组成

碳化硅部件（CVDSiC） 以自行研发的CVD法生产，实现了超高纯度，高耐热性，高耐磨性的碳化硅产品 碳化硅产品是硅（Si）和碳（C）1比1结合而成的一种化合物，具有较高的抗磨损性、耐热性和耐腐蚀性。 它们被广泛地应用于半导体材料的制造过程中需要的

换热设备碳化硅换热器设备工艺原理 在设备运行过程中，一些问题可能会导致设备闲置或热传导效率下降。必须定期对设备进行检测，以确保其正常运行和高效换热。可以通过检测管壁温度、内外流体的流量和温度等参数来判断设备的状态。结论碳化硅

碳化硅冷凝器设备工艺原理8附着性强：碳化硅陶瓷管表面具有多孔性，表面积较大，附着性强，能够有效地捕集和附着烟气中的有害气体。9 清洗方便：碳化硅陶瓷管表面附着物可通过自动控制系统进行清洗，提高设备稳定性和使用寿命。应用领域

2023年5月17日  国内碳化硅激光切割方案 大族激光：碳化硅改质切割原理 目前，国内大族激光的碳化硅晶锭激光切片机正在客户处验证。近期，大族激光也在官微分享了其 改质切割技术的流程及成果。 改制切割是一种将半导体晶圆分离成单个芯片或晶粒的激光技术。

碳化硅换热器作为一种高效的换热设备，其具有以下几个特点： 1 碳化硅本身就是一种具有良好耐高温特性的材料，其最高使用温度可达1600℃左右。 而采用碳化硅换热器作为换热设备，不仅能够在高温环境下运行，而且还能够稳定工作，不会发生断裂或变形

本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍，其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷，器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念，单／双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件，以及碳化硅器件的系统应用

2021年1月7日  另一方面，碳化硅属于单极性器件，因此碳化硅芯片的并联数量越多，其总导通损耗越低，并可因此提高电控的效率。 所以，选择芯片并联数量时，除了最高结温限制了最大输出功率，还必须考虑它对于系

2 天之前  SiC碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。相比传统的硅材 料(Si)，碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的45倍；击穿电压为硅的810倍；电子饱和漂移速率为硅的23倍。

2024年1月19日  一 碳化硅MOSFET常见封装TO247 碳化硅MOSFET是一种基于碳化硅半导体材料的场效应晶体管。它的工作原理类似于传统的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。主要由以下三个部分组成： 栅极（Gate）： 栅极是用于控制MOSFET导通的

2023年8月23日  碳化硅亦被广泛运用在其他电力设备中 中国碳化硅功率器件应用市场规模飞速增长，从2017年的185亿元增长至2021年的711亿元，CARG达 4001%。 鉴于碳化硅材料在高电压下的优良性能，碳化硅材料在新能源汽车、光伏逆变器等产业都有极为理想 的应用前景。 截至

2023年8月29日  近日，纳设智能成功研制出更大尺寸具有更多创新技术的8英寸碳化硅外延设备，此设备具备 独特反应腔室设计、可独立控制的多区进气方式、以及智能的控制系统 ，将更好的提高外延片的均匀性，降低外延缺陷及生产中的耗材成本。 目前，6英寸碳化硅技

2021年8月8日  由于《碳化硅技术基本原理 生长、表征、器件和应用》同时包涵了基础和高级概念，需要读者有一定的半导体物理及器件基础，不过，对于材料科学或者电气工程专业的研究生来说，阅读本书将不会有困难。 《碳化硅技术基本原理 生长、表征、器件和应用》所

2023年12月15日  碳化硅的激光切割一般使用皮秒红外激光器作为光源，近红外波长能够更好的透过碳化硅并聚焦在材料内部形成改质区。 这种技术具有材料损耗低、加工效率高、出片数量多等优势，有望成为金刚线切割技术的理想替代方案。 激光剥离技术优势：切割时间

2023年7月7日  PVT法碳化硅长晶设备有两种加热方式，即感应加热法和电阻加热法。感应加热法是目前国内外生长SiC晶体的主流工艺，其原理 是使石墨坩埚产生涡流发热，给包括坩埚在内的整个热场加热，坩埚是温度最高的部件。电阻加热法是未来生长大尺寸SiC

PVT长晶原理 在真空或惰性气体保护下,加热炉芯至1800~2500℃的高温。 碳化硅粉源在高温下升华形成气相,通过温度梯度驱动,气相碳化硅分子扩散至较低温度的生长区,在种子晶体表面发生重新凝聚和生长。 3 影响因素 影响PVT长晶质量的主要因素包括: (1)温度

2023年4月26日  1）碳化硅切割设备方面：国内首款高线速碳化硅金刚线切片机 GCSCDW6500可获得和砂浆切割相同的晶片质量，同时大幅提升切割效率， 显著降低生产成本，行业内独家实现批量销售，实现国产替代，

外延炉的工作原理可以简单分为加热、气氛控制和生长三个阶段。 31 加热阶段 在加热阶段，加热系统通过加热元件提供热量，将炉膛温度升高到所需的生长温度。 加热的过程中需要保持温度的均匀性，以确保材料的生长质量。 外延炉设备工作原理54 环保

2023年7月14日  1 )半导体大硅片设备:8+12 寸产品线全面布局,逐步实现国产化突破。 公司在晶体生长、切片、抛光、CVD 等环节已实现8 英寸设备全覆盖,12英寸长晶、切片、研磨、抛光等设备已实现批量销售,设备性能达到国际先进水平。 2) 芯片制造和封装制造设备:碳化

碳化硅晶片清洗工艺 1 预清洗 将待清洗的碳化硅晶片放入预清洗槽中，使用去离子水进行浸泡清洗。 预清洗的目的是去除表面附着的杂质和油污，以减少后续清洗工艺的负担。 2 酸洗 在酸洗槽中加入稀硝酸或稀盐酸溶液，将碳化硅晶片浸泡一段时间

2023年5月21日  碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备，粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求，但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国logitech、日本disco等公司的设备，采用设备与工艺打包销售的方式，极大的增加了工艺厂商的使用成本和维护成本。

2022年7月4日  优晶光电在2021年完成了终端客户的材料验证工作，并当年实现碳化硅业务销售近7000余万元。 公司近两年在手订单接近饱和状态，业务收入保持持续的高增长态势。 优晶光电将持续加大对设备与工艺的研发，为中国碳化硅材料走向世界，推动碳化硅在行业中

2023年11月24日  1碳化硅mosfet的结构及工作原理 碳化硅MOSFET是一种基于碳化硅材料制造的MOS场效应晶体管。 其结构主要包括 碳化硅衬底 、绝缘层、 栅极 、漏极和源极等部分。 在其工作原理中，当施加在栅极上的电压变化时，碳化硅MOSFET可以实现从导通状态到截止状态的

报告日期：2023年07月14日 迈向半导体 +碳化硅设备龙头，设备+零部件协同布局铸造高壁垒 —— 晶盛机电深度报告之【半导体设备】篇 投资要点 简要：公司为光伏+半导体硅片设备龙头，向光伏耗材、碳化硅材料等领域延伸，空间打开。 本篇报告将核心从

2022年4月28日  碳化硅SiC MOSFET的制造工艺与工作原理 碳化硅，一种不怎么新的材料 史上最早记载的关于SiC材料的实验发生在1849年左右，当时这种材料已被广泛用于制作防弹衣或者磨料。 IGBT的发明者之一

2023年6月12日  碳化硅外延厚度小于30 μm时，激光将穿透至碳化硅衬底片，测试结果受到碳化硅衬底非平衡载 流子信号影响。 6 仪器设备 本文件所用的μPCD测试系统需要有激光器、微波产生器、微波探测器和信号采样分析系统等几 部分，如图3所示。 图3 微波光电导法系统

2023年3月7日  碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特 性，是制备高性能 电化学腐蚀具有工艺设备简单、样品要求低等优势，适合晶体表面改性，是制备多孔 SiC 的方法之一， 多孔 SiC 在光电

烘手器的工作原理主要是通过红外光线、高温和风扇将手部表面的水分蒸发，使得手部表面快速干燥。 1 烘手器内部采用的是红外线感应技术。 红外线感应技术可以快速感应到用户的手部，控制器会根据感应信号来判断是否有人正在使用烘手器，保证了烘干的

2022年5月11日  一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉 来源：中国粉体网 山川 37815人阅读 标签 长晶炉 碳化硅 晶片 碳化硅微粉 碳化硅晶片 [导读] 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉 还有2页，登录查看全文 推荐 9 作者：山川

2020年6月11日  自2015年开始，大族显视与半导体配合半导体行业客户需求，自主研发并生产了第三代半导体SiC晶圆激光内部改质切割设备，打破了国外技术垄断，填补了国内市场空白。该技术自成型以来，已形成批量销售，大族显视与半导体技术团队以激光切割设备为核心在多个客户现场提供整套的碳化硅切割

2024年2月4日  碳化硅晶片的化学机械抛光技术（CMP）是一种先进的表面处理技术，结合化学腐蚀和机械研磨的方法，通过选择合适的化学腐蚀剂、研磨剂、控制抛光参数和采用精密抛光设备，实现对碳化硅晶片表面的精细处理，达到超光滑、无缺陷及无损伤表面的效果。

摘要： 碳化硅 (SiC)是制作高温,高频,大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车,光伏产业,高压输配线和智能电站等领域的应用需求越来越大与硅半导体产业不同,碳化硅