作者： 尹长霞 摘要： 碳化硅 (SiC)陶瓷具有高熔点,高硬度,耐磨损和强度高等优点,是重要的高温结构材料之一反应烧结碳化硅 (RBSC)材料可以作为密封件,热交换器件和喷嘴等材

采用微波消解技术研究碳化硅微纳米微纳米粉体中Fe2O3,Si,SiO2去除工艺,实验结果表明:微波功率4KW,微波频率2450MHz时,其中反应温度90℃,HCl浓度3molL~(1),反应时

2016年12月15日  采用碳纳米管（CNTs）为碳源，硅粉为硅源，通过煅烧，制备出了纳米到亚微米级的超细碳化硅（SiC）粉体，研究了1 300 ℃、1 400 ℃、1 500 ℃三个不同的

【摘要】：某常压烧结陶瓷级碳化硅微粉要求原料平均粒度D5008μm,对原料中杂质铁、碳、硅的含量要求较严格,通过选矿和化学处理方法可使其杂质含量达到标准需求,超细磨前利

工业用碳化硅为人造碳化硅,SiC含量为95%~995%,常含少量的游离碳,以及Fe2O3、Si和SiO2等杂质。碳化硅按结晶类型可分为六方晶系(αSiC)和立方晶系(βSiC),六方晶系又因

2 天之前  摘要: 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。 常

一种低温低成本高纯碳化硅超细微粒的制备方法工业碳化硅含杂质的种类和含量不同，呈现浅黄、绿、蓝乃黑色，许多应用因工业碳化硅纯度不高而受到限制。

业用微纳米碳化硅微纳米粉体的技术标准;通过纯度分析,碳化硅微纳米粉体的水流分级未引入杂质,化学成分基本不变;SiC微纳米粉体冲击磨加工纯度下降,其他的杂质含量偏高。超细

2016年12月23日  近年来，在高新技术领域发展起来的超细碳化硅粉体制备的方法，主要归为三种：固相法、液相法和气相法。 固相法主要包括以下几种：碳热还原法、Si与C直

2016年6月9日  超细SiC粉体在制备过程中可能存在氧化生成的SiO2，为确定制备的超细粉体是否为纯的SiC，采用红外光谱测试其中是否含有其他物质 图3为不同温度下生成碳化硅

2024年2月28日  碳化硅单晶生长用高纯SiC粉料，其合成有哪些因素影响？ 中国粉体网讯 近年来，制备高纯SiC粉料逐渐成为SiC单晶生长领域的研究热点。生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高，杂质含量应至少低于0001%，此外，碳化硅粉料的各项参数都直接影响单晶生长的质量以及电学性能。

纳米碳化硅,微米碳化硅,超细碳化硅,高纯碳化硅,耐磨。光阳碳化硅98含量高纯黑碳化硅出口级黑碳化硅。ICP—MS法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质Determination。超细粉体存集成1实验部分11仪器Varian系统、。硅片表面金属杂质含量,质种金属杂质ICP。

超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究《武汉 反应烧结碳化硅 (RBSC)材料可以作为密封件、热交换器件和喷嘴等材料。 但是由于普通RBSC陶瓷的原料杂质含量高、粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等,导致RBSC 2022年2月23日一般来说导热率取决于碳化硅结晶颗粒中杂质的含量，杂质

2 天之前  该法生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制备。 以下是几种常见的固相法。 1) 机械粉碎法：将粉体颗粒状的碳化硅在外力作用下将他研磨煅烧一系列操作后得到超细粉体，该工艺及设备简单，成本也低，但效率高，缺点就是反应中易

2022年5月20日  生产的碳化硅粉体不够细，杂质 多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制 的超细碳化硅(SiC)粉体，且均为βSiC

杂质含量和碳化硅纯度均能达到产品要求。采 用湿式高速搅拌磨机超细磨能够细磨到 D50 096μm，磨 细后的物料经过高速卧螺离心分级机分级后达到陶瓷原 [1] 陈立松，彭春艳等 世界碳化硅生产、消费及市场概况 [J]

2013年3月14日  反应烧结碳化硅（RBSC）材料可以作为密封件、热交换器件和喷嘴等材料。 但是由于普通RBSC陶瓷的原料杂质含量高、粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等，导致RBSC材料的性能不高。 超细SiC微粉是一种化学组成均匀性好、粒径分布窄、纯度高且反应活性

超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究反应烧结碳化硅材料可以作为密封件热交换器件和喷嘴等材料。但是由于普通陶瓷的原料杂质含量高粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等,导致材料

纳米碳化硅,微米碳化硅,超细碳化硅,高纯碳化硅,耐磨。光阳碳化硅98含量高纯黑碳化硅出口级黑碳化硅。ICP—MS法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质Determination。超细粉体存集成1实验部分11仪器Varian系统、。硅片表面金属杂质含量,质种金属杂质ICP。

2023年12月30日  一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法pdf 上传 暂无简介 文档格式：pdf 文档大小： 36247K 文档页数： 7 页 顶 /踩数： 0 / 0 收藏人数： 0 评论次数： 0 文档热度： 文档分类： 行业资料

2021年12月4日  那半导体领域用的碳化硅价格是多少呢？ 据了解，用于单晶生长的碳化硅微粉价格为 2000～12000元/kg ，注意，其价格单位是 元每千克 。 单晶生长用碳化硅为何有如此天价？ 据了解，生长单晶用 碳化硅粉 体的粒径约为300～500μm，粒度要求不是很高，

2020年3月24日  WZZhu等使用CVD法，利用硅烷与乙炔为反应气，氢气为载气，在1200～1400℃下合成了超细高纯SiC 硅源，苯酚树脂作为碳源，利用燃烧法在1700～2000℃的范围内，合成了粒径在10～500μm，杂质含量质量分数低于05×106

2020年8月21日  碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热

2023年11月23日  对碳化硅粉体进行表面改性，可以改善超细粉体颗粒在液相中的分散性、稳定性与高聚物相容性等性能，提高其表面活性，使其能够符合不同应用领域的要求。 近年来，随着科研工作者对纳米粉体改性的深入研究，表面改性呈现多样化，概括地说来主要分为

2020年6月25日  综述了高纯SiC微粉主要制备工艺,介绍了近些年SiC微粉除杂提纯工艺新进展,提出未来高纯SiC微粉制备工艺应不断更新升级,产业化生产技术和装备也需要不断完善。 关键词: SiC, 制备方法, 除杂, 研究进展 Abstract: The main preparation processes of highpurity SiC micropowder were

2023年1月28日  从杂质方面分析，现国内市场碳酸钙含量大多≤999%，主要是杂质铁、镁、硅（含量3001500PPm之间）以及重金属等。 某企业高纯超细碳酸钙分类 3电子陶瓷用高纯碳酸钙加工工艺 （1）以碳化法 煅烧 石灰石 得到氧化钙和窑气→氧化钙消化并经分离除

特点：所制备的碳化硅产物高纯度、细分散； 相似方法：含有硅和碳的气体在高温下发生反应，由此 可合成出纳米级的βSiC 超细粉。 （3）热分解法 使聚碳硅烷或三氯甲基硅烷等有机硅聚合物在1200℃一 1500℃的温度范围内发生分解反应, 由此可合成出亚微米级

2019年9月2日  而超细粉体在集成系统、电子技术、光子技术、精密仪器、国防工业和机械工业等多种领域里广泛应用。 在这些应用中粉末的纯度直接影响最终产品的质量，而粉末表面各种微量杂质元素的量直接决定着粉末纯度，因此建立 碳化硅粉 表面各种微量杂质元素量的检测方法是很必要的。

2022年5月6日  其中杂质含量少的呈绿色，被称为绿色碳化硅；杂质含量多的呈黑色，被称 为黑色碳化硅。 一般碳化硅含量愈高、颜色愈浅，高纯碳化硅应为无色。 SiC 是强 共价键结合的化合物， 烧结时的扩散速率相当低，即使在 2100 ℃的高温下，C 和 Si 的自扩散系数也仅为 15×1010 cm 2 /s 和 25×1013 cm 2 /s。

摘要： 以低品位碳化硅粗粉为原料,通过球磨工艺制备高性能超细碳化硅粉体,研究球磨时间,球料质量比,转速等球磨参数对碳化硅粉体微观结构及性能的影响结果表明:随着球磨时间,球料质量比,转速的增加,碳化硅粉体的粒度逐渐减小,粉体振实密度不断减小,但是

高性能反应烧结碳化硅陶瓷材料制备及其性能研究 反应烧结SiC陶瓷材料诞生半个多世纪以来,已经在国民经济各领域得到广泛应用目前实验室条件制备的RBSC陶瓷材料性能 (d=31g/cm3,σf=12GPa)远高于工业产品,已有的研究证实,采用超细SiC原料是获得高强

高纯度碳化硅随着气温的升高内阻率降低，含杂质碳化硅 按照其含杂质不一样，导电性能也不一样。 2、碳化硅粉末的合成方法 采用化学共沉淀法制备了羟基磷灰石和二氧化锆超细粉，并以此为原料，通过不同材料的优化组合，用烧结法制备了HAZrO2

是指利用JZFZ设备来进行超细粉碎分级的微米级碳化硅粉体。碳化硅微粉主要为1200#和1500#为主，由于碳化硅微粉主要用于磨料行业，所以对微粉的分级有特殊要求，微粉中不能有大颗粒出现，所以为达国际和国内产品

本发明涉及一种碳化硅疏水催化剂及制备方法，适用于规模化生产氢水同位素交换的疏水催化剂，并用于重水生产及核能设施含氚废水的处理。背景技术随着核裂变与聚变能源的发展，大量低浓含氚废水的处理与处置工作成为重中之重。氢水液相催化交换工艺（LPCE）是指气态氢气与液态水之间进行

2021年1月30日  1）锂电池三元材料烧结：无压烧结碳化硅辊棒，常压烧结碳化硅陶瓷辊棒强度高、使用温度高，耐强酸耐强碱腐蚀，由于在超高温(2400℃)下煅烧，不含可溶性的酸碱成分； 2）碳化硅陶瓷晶舟：碳化硅纯度＞99%，金属杂质少，用于半导体配件； 3）碳化硅热

2023年12月6日  21 大尺寸薄壁碳化硅热交换管材制造技术( 重大攻关方向) 研究内容: 针对化工行业急需的耐腐蚀、 耐高温、耐高压的碳化硅陶瓷热交换管材的制造技术为国外垄断的现状,通过研究大尺寸陶瓷管材专用粉体、 成型和烧结过程中密度梯度和温度场梯度控制技术

本发明公开一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法,属于晶体生长领域,该方法采用了高温时与氮元素发生化学反应的除氮物质,所形成的氮化物在碳化硅合成温度范围内以稳定的形态存在,有效避免氮杂质进入碳化硅晶格中,突破了目前传统的碳化硅原料合成方式

2019年4月16日  碳化硅的碱洗通常也是在加热碳化硅的过程中，用氢氧化纳对碳化硅颗粒进行处理。 主要目的是除去表面的游离硅，二氧化硅等物质，这样可以提高碳化硅的含量。 在使用碳化硅制品中有杂质出现，该怎样去除？ 有两种方法：化学除铁法和物理触铁法，下面

2021年4月27日  1本发明属于化学检测技术领域，具体涉及一种碳化硅复合材料中铝、镁等杂质元素含量的测定方法。背景技术： 2碳化硅的硬度高、耐磨性和研磨性能好，并且铀抗热冲击、抗氧化、抗化学试剂作用、抗熔盐和抗熔融金属的高稳定性。 近年来关于其化学元素检测的报道有很多，并发布了国家标准gb

2023年5月19日  目前商业化生产的高纯SiC粉体原料纯度一般只能达到99999％的纯度，其中的氮含量大都在5×10 16 个/cm 3 以上的水平，严重影响其后续产品——高纯半绝缘碳化硅单晶中的氮含量。因此，降低粉体原料中氮杂质含量，对于制备高纯半绝缘碳化硅晶体具有重

2007年2月14日  本发明涉及一种清除生产SiC细粉工艺中的杂质进行酸洗净方法，尤其涉及背景技术半导体制造用SiC细粉陶瓷原料的生产是采用球磨法，制造纯度大于96％，平均粒径在08μm的超细SiC粉，为了保证SiC细粉的高纯度必须进行酸洗净工艺。采用物理超微粉碎技术，进行碳化硅细粉产业化生产工艺，碳化硅

碳化硅单晶生长第一步，要纯! 2024/02/28 点击 3225 次 中国粉体网讯 近年来，制备高纯SiC粉料逐渐成为SiC单晶生长领域的研究热点。生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高，杂质含量应至少低于0001%，此外，碳化硅粉料的各项参数都直接影响

2021年1月29日  碳化硅晶舟（SIC BOAT）、陶瓷晶舟如何做到9999%的高纯度？ 西安中威（ZHWE）®系列碳化硅陶瓷晶舟,SIC晶舟，陶瓷晶舟纯度 >99975% 使用寿命长>5年 ， 主要应用于太阳能、半导体扩散制程。 具有耐磨损、耐腐蚀、耐高温冲击，耐电浆轰击、高温承载力大、高导热

2016年6月16日  超细碳化硅微粉制备及反应烧结碳化硅性能的研究pdf文档全文免费 2015年12月1日溶胶凝胶法制备的SiC粉杂质含量少, 确定了溶胶凝胶方法的工艺条件,得出碳化硅超细粉的制备新法【J】中国粉体技术,2001,7 1 :1011 【14

2022年9月26日  碳化硅粉在碳化硅晶圆生产中的应用 碳化硅晶圆的生产，是先要制备碳化硅衬底，目前其制备多采用改进Lely法、高温CVD法和溶液法，其中以改进Lely法为主流。 Lely法，又称升华法，其基本原理是：在空心圆筒状石墨坩埚中（最外层石墨坩埚，内置多孔

2016年11月26日  61《现代仪器》011年第6期第17卷总97期分析测试摘 要 本文采用ICPMS法对高纯碳化硅粉表面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd1种痕量杂质进行测定，用氢氟酸溶液浸提试样表面杂质，用钇做内标补偿基体效应和仪器的漂移，用碰撞反应技术消除多原子离子干扰，通过实验确定最佳优化测定

1991年1月1日  碳化硅超细粉末中的总碳量测定 作者： 马丽娟 原文服务方：佛山陶瓷 碳化硅 总碳 管式炉 摘要： 测定碳化硅中的总碳量，国标法 [1]采用燃烧一重量法，即用四氧化三铅作助熔剂，此助熔剂在加热过程中易溢出使结果受影响，并且与磁燃烧管熔在一起使

2017年4月9日  重结晶碳化硅材料对所用碳化硅原料的纯度要 求较高，要求SiC 含量在99%(w)以上。国内碳化硅 原料纯度低，总杂质含量一般在0． 35% (w)左右，而 国外进口优质碳化硅原料的总杂质在0． 17% (w)左 右。杂质含量高，会导致重结晶碳化硅制品在烧结温

2023年6月12日  高纯碳化硅等产品供不应求的现状下，晶彩科技正在进一步扩大产能，为高端新材料领域添砖加瓦。 CAC2023晶彩科技展位人头攒动 晶彩科技成立于2017年10月，2022年获批国家高新技术企业，公司与国内一流高校联合技术攻关，建立了高纯粉末材料研发及检测中心

2022年4月24日  碳化硅陶瓷也被认为是最有发展潜力的高性能防弹装甲材料之一（图 23），碳化硅的硬度仅次于金刚石和碳化硼，其莫氏硬度达到了 9 2 ～ 9 6，其优势在于高硬度、高弹性模量。碳化硅的晶体结构决定了其韧性较低，当受到子弹撞击的时候，其超高的